一种基于砷化镓衬底的高峰——谷电流比的共振隧穿二极管
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【摘 要】基于砷化镓高性能共振隧道二极管（RTD）结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这种RTD偏压下峰—谷电流比（PVCR）达到4.68,其最高峰值电流密度为12.4kA/cm2。
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