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ZnO半导体纳米线的制备

【出 处】：

【作 者】：

【摘 要】采用物理气相沉积技术在镀金Si衬底上制备一维ZnO纳米线。利用SEM、XRD及PL技术对ZnO纳米结构的形貌、晶态结构及生长模式进行了分析。结果表明,ZnO纳米线结构的生长满足气液固生长机制,且呈现纳米线顶端生长模式,且主要由晶态ZnO组成。

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